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重磅 | 國星光電推出第三代半導體系列新產品

2021-04-20
第三代半導體

2020年10月,國星光電成功舉辦了首屆國星之光論壇,論壇上國星光電宣布將緊抓國產化機遇,迅速拓展第三代半導體新賽道。近期,國星光電正式推出一系列第三代半導體新產品,在新的賽道上邁出了堅實的步伐。



01 新賽道 開新局
第三代半導體是國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃的重要發展方向。與傳統的硅基半導體相比,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體除了具備較大的禁帶寬度之外,還具有高導熱率、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、優良的物理和化學穩定性等特點。

風乘國家“十四五”對半導體集成電路領域的規劃,國星光電在“三代半封測”領域大力布局,在傳承“LED封測”高可靠性的品質管理體系基礎上,致力于打造高可靠性及高品質優勢的“專業三代半功率封測企業”。

02 新方向 創新品
目前,國星光電在第三代半導體領域已經形成了3大產品系列,包括:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊。國星光電打造高可靠性、高品質的功率器件封測企業,堅定高性能、高可靠性、高品質的產品路線。

●SiC功率器件
國星光電SiC功率器件小而輕便,反向恢復快、抗浪涌能力強、雪崩耐壓高,擁有優越的性能與極高的工作效率。目前該領域已形成了2條SiC功率器件拳頭產品線:SiC-MOSFET、SiC-SBD;擁有4種封裝結構(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可廣泛應用于大功率電源、充電樁等工業領域。



●GaN-DFN器件
國星光電的GaN-DFN器件具有更高的臨界電場、出色導通電阻、更低的電容等優勢,使其尤適用于功率半導體器件,降低節能和系統總成本的同時,工作頻率更高,具有極高的功率密度和系統效率,可極大地提升充電器、開關電源等應用的充電效率,廣泛應用于新能源汽車充電、手機快充等。


●功率模塊
國星光電第三代半導體功率模塊,采用自主創新的架構及雙面高效散熱設計,具有優越的電性能和熱性能,雜散電感低、轉換效率高、輕載損耗小等優勢,其功率密度大,產品體型小,可廣泛應用于各種變頻器、逆變器的工業領域,滿足系統開發人員對空間的嚴格要求。模塊產品可根據特殊功能需求進行模塊化定制開發。



03 “星”速度 見實效
為做好技術儲備積累,滿足市場需求,2020年國星光電便啟動了組建功率器件實驗室及功率器件產線的工作。目前,國星光電第三代半導體新品已正式推出,其中,TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD產品已經進入了試產階段,并且在樣品階段完成了AEC-Q101車規級標準的摸底測試驗證工作。TO-247-3L的性能達到1200V、40A、80mΩ,TO-220-3L達到1200V、13A、160mΩ。



與此同時,公司產品已送至第三方有資質的機構,正在依據AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有關車規級和工業級標準進行認證測試。

未來,在國家“十四五”規劃的偉大藍圖下,國星光電定將持續加大第三代半導體的研究開發和技術成果轉化,為國家戰略安全、為第三代半導體國產化貢獻力量。


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